NoSpherA2精修与IAM精修结果差异解读

casjxm

在olex2中进行NoSpherA2精修，其R要比普通IAM精修要低得多，NoSpherA2精修获得的残余电荷也要比IAM精修好得多，原因如下：
1. olex2中普通晶体结构IAM精修给出的残余密度Fo-F(IAM)包含了键电荷与孤对电子(以及其他的电子结构信息)，以及仪器误差，由于混杂有非0的仪器误差，所以键电荷与孤对电子看起来不够清晰。
2. NoSpherA2精修给出的差分电荷（deformation）应该是理论傅里叶与IAM傅里叶只差，即F(theor.)-F(IAM)，由于不含有仪器误差，所以键电荷与孤独电子看起来很清晰，而不是Fo-F(IAM)；残余密度（residual）为Fo-F(theor)，不包含键电荷与孤对电子，仅包含仪器误差，所以要比普通IAM精修好得多，R也小；
3. 电子结构精修推荐的做法：第一步：在Olex中进行NoSpherA2精修得到所有原子的高精度原子坐标与温度因子；第二步：将shelx.ins与shelx.hkl导入XD, 在XD中固定原子坐标与温度因子，精修电子结构参数（多极矩与kappa）。


关于IAM模型与NoSpherA2 （HAR模型），参考：
https://www.matstr.com/forum.php?mod=viewthread&tid=642&extra=

IAM模型：https://www.matstr.com/forum.php ... &extra=page%3D1
HAR模型：https://www.matstr.com/forum.php ... &extra=page%3D1




IAM精修残余密度：




NoSpherA2精修残余密度：





NoSpherA2精修差分密度：